شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 317
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_202
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
در این مقاله به بررسی اتصال بدنه زیر سورس1 در تراتزیستور سیلیکون روی عایق2 با طول کانال 45 نانومتر و مقایسه آن با ترانزیستور اتصال بدنه مرسوم3 و تاثیر آن بر مقاومت درین_سورس میپردازیم. در ترانزیستور سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه از طریق زیر سورس، با اعمال ناحیه ای با ناخالصی P+ زیر اتصال سورس و ایجاد اتصال بدنه با ناحیه ناخالصی P در فاصله ای معین مجانب سورس، مسیری ایجاد میگردد تا حفره های بدنه به زمین منتقل شوند. در این مقاله با انجام شبیه سازی دو بعدی با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD و استخراج شاخصه های خروجی نشان داده می-شود که ترانزیستور سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس در مقایسه با ترانزیستور مرسوم دارای معایبی از جمله افزایش مقاومت درین _ سورس، افزایش حجم ترانزیستور و اشغال فضای زیاد میباشد و از مزایای آن میتوان به کاهش مقاومت بدنه ترانزیستور اشاره کرد.
Keywords:
Authors
مرضیه نمازی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
آرش دقیقی
دانشیار گروه برق الکترونیک، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
مهدی دولتشاهی
استادیار گروه برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران