طراحی یک تقویت کننده توزیع شده جدید با پهنای باند بالا و نویز کم در تکنولوژی 0/13 CMOSمیکرومتر
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 379
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_556
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده CMOS که در سلول بهره آن از ترکیب دو ساختار کسکود تنظیم شده استفاده شده ارایه و در تکنولوژی 0.13 µm CMOS شبیه سازی شده است. توپولوژی ارایه شده در این مقاله باعث می شود تا پهنای باند این تقویت کننده به صورت چشمگیری افزایش یابد. از مزیت های مهم دیگر این طراحی می توان به بهره بالا، نویز خیلی کم و حفظ کامل تطبیق امپدانس ورودی و خروجی اشاره نمود که در مقایسه با کارهای انجام شده در این تکنولوژی برتری آن کاملا0 محسوس می باشد. تعداد طبقات تقویت کننده در بهینه ترین حالت محاسبه شده و تعداد آن سه طبقه می باشد. بهره تقویت کننده پیشنهادی 16/7±0/6 و پهنای باند 3-dB آن 26/5 گیگا هرتز می باشد. تطبیق امپدانس ورودی و خروجی و ایزولاسیون معکوس بسیار خوب از مزیت های دیگر آن بوده که باعث پایداری بیشتر تقویت کننده گردیده است. نویز این تقویت کننده نیز دارای مقدار میانگین dB 2/86 می باشد و توان مصرفی آن 51/54 میلی وات می باشد.
Keywords:
تقویت کننده پهن باند , تقویت کننده توزیع شده , Distributed Amplifiers , کسکود , کسکود تنظیم شده , کسکود تنظیم شده اصلاح شده
Authors
علیرضا قناعت پیشه
دانشجوی کارشناسی ارشد گرایش الکترونیک دانشگاه شهید باهنر کرمان
احمد حکیمی
دانشیار گروه مهندسی برق گرایش الکترونیک دانشگاه شهید باهنر کرمان