بررسی تقویت کننده های فوق پهن باند کم نویز و مقایسه روش ها

این مقاله طرحی را برای چند تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS 3-10GHz و با توان کم ارایه می دهد که از تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF استفاده می کنند.در ابتدا به بررسی طبقه اول تعدادی از تقویت کننده های پهن باند کم نویز در محدوده فرکانسی 3-10 گیگاهرتز می پردازیم، زیرا نویز کم، میزان تطبیق امپدانس ورودی و بهره طبقه اول در طراحی فرکانس بالا روی طبقات دیگر تآثیر زیادی دارد. نتایج شبیه سازی و طراحی در این مدارات از قبیل عدد نویز،بهره، پارامترهای پراکندگی و میزان تطبیق ورودی و خروجی توسط نرم افزار ADS بدست آمده است.

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , فرا پهن باند , تطبیق امپدانس ورودی و خروجی , بهره تقویت کننده , عدد نویز