یک سلول 9SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 538
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELCM02_143
Index date: 11 May 2018
یک سلول 9SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته abstract
توان مصرفی در سلول های SRAM شامل دو مولفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلول ها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلول ها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویز استاتیک (SNM) در سلول SRAM ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا می کند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلول های SRAM در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد.در این مقاله یک سلول 9 ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که در مقایسه با سلول 6 ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول 7، 8 و 9 ترانزیستوری که قبلا معرفی شده اند، میزان بهبود توان نشتی 40 الی 53 درصد، میزان بهبود توان دینامیکی 17 الی 49 درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین 48 الی 68 درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول 9 ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین 33 تا 41 درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلول ها است.
یک سلول 9SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته Keywords:
پایداری داده , تاخیرخواندن و نوشتن , توان دینامیک , توان نشتی , حاشیه نویز استاتیکی (SNM) , حافظه های استاتیک
یک سلول 9SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته authors
حمید کهنوجی
دانشگاه ولی عصر (عج)
محسن صانعی
دانشگاه شهید باهنر کرمان