Characterization of Photodiodes, Made from a p– type Epitaxial Layer Grown on n- type InSb < 111> By LPE method
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
Keywords:
Authors
aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry P.O.Box ۱۹۵۷۵ – ۱۹۹, Tehran, Iran. Institute of Physics, Azerbaijan University
aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry P.O.Box ۱۹۵۷۵ – ۱۹۹, Tehran, Iran.
aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry P.O.Box ۱۹۵۷۵ – ۱۹۹, Tehran, Iran
Institute of Physics, Azerbaijan University