سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه

Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 3,492

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/73595

Document National Code:

ICOPTICP16_050

Index date: 9 July 2009

تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه abstract

دراین کار تجربی لایه های نازک نیترید مس به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc برروی زیرلایه های شیشه ای تحت توانهای تخلیه الکتریکی متفاوت و دمای ثابت زیرلایه نهشته شده اند. در این جا وابستگی چگالی، مقاومت ویژه الکتریکی و گاف اپتیکی فیلمها به توان تخلیه نشان داده شده است و علل تغییرات مشاهده شده مورد بحث قرار گرفته است.

تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه Keywords:

تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه authors

بیان کریمی

گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم

حسن بیدادی

گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم

فرامرز هادیان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Perez, A., et al, (1997), ،Cluster assembled materials a novel ...
Ji, A. L, et al. (2006).، Growth of stoichiometrc Cu3N ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه" توسط بیان کریمی، گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم؛ حسن بیدادی، گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم؛ فرامرز هادیان نوشته شده و در سال 1388 پس از تایید کمیته علمی شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله فیلمهای نازک نیترید مس، کندوپاش مگنترونی واکنشی، توان تخلیه، گاف اپتیکی هستند. این مقاله در تاریخ 18 تیر 1388 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 3492 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین کار تجربی لایه های نازک نیترید مس به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc برروی زیرلایه های شیشه ای تحت توانهای تخلیه الکتریکی متفاوت و دمای ثابت زیرلایه نهشته شده اند. در این جا وابستگی چگالی، مقاومت ویژه الکتریکی و گاف اپتیکی فیلمها به توان تخلیه نشان داده شده است و علل تغییرات مشاهده شده مورد بحث قرار گرفته است. ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.