اثر آهنگ انباشت روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک ZnO انباشتی به روش تبخیر پرتو الکترونی
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,538
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_066
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
فیلمهای Zno روی بستره های شیشه ای در دمای اتاق به روش تبخیر پرتو الکترونی با آهنگهای انباشت مختلف رشد داده شده اند. مشخصات الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه ها نظیر مقاومت سطحی الکتریکی، تراگسیل و اندازه ی دانه بعد از بازپخت به دست آمده است. لایه های به دست آمده با اندازه گیری های XRD و اسپکتروفوتومتر آنالیز شدند. نتایج XRD نشان داد که با افزایش آهنگ انباشت از 2 تا 3A/s لایه های شفاف با رسانندگی بالا می تواند حاصل شود. درنهایت معلوم شد که آهنگ انباشت نقش مهمی در کنترل خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک ZnO ایفا می کند.
Keywords:
Authors
حامدرضا مدایم زاده
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان، آزمایشگاه لایه نشانی
حمیدرضا فلاح
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان، آزمایشگاه لایه نشانی گروه پژوهشی اپتیک کو
سیدوحید طباطبایی
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان، آزمایشگاه لایه نشانی
محسن قاسمی
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان، آزمایشگاه لایه نشانی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :