تزریق الکترون در فرآیند شتاب میدان عقبه ی لیزری با استفاده از لایه های با چگالی نزدیک به چگالی بحرانی
Publish place: چهارمین کنفرانس مهندسی و فیزیک پلاسما
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 340
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PLASMA04_014
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397
Abstract:
در این مقاله روشی برای افزایش الکترونهای به دام افتاده در میدان عقبه ی لیزری در فرآیند شتاب در پلاسمای رقیق ارایه شده است. در این روش یک لایه ی نازک الکترونهای لایه وارد محیط پلاسمای رقیق می شوند. برخی از این الکترونها در میدان عقبه ای که پالس عبور کرده از لایه در پلاسمای رقیق ایجاد می کند به دام می افتند. برای بررسی این روش از شبیه سازی ذره در سلول استفاده شده است.
Authors
میثم تقی پور
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده ی علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر
سعید میرزانژاد
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده ی علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر
ماهرخ رحیم نژاد
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده ی علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر