بررسی خواص الکترونی و اپتیکی سیلیکن Silicene با استفاده از محاسبات اصول اولیه
Publish place: National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 567
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
TESCONF01_222
Index date: 7 July 2018
بررسی خواص الکترونی و اپتیکی سیلیکن Silicene با استفاده از محاسبات اصول اولیه abstract
هدف این مقاله، مطالعه خصوصیات ساختارالکترونی و اپتیکی سیلیکن دوبعدی در ابعاد نانومتر لایه نشانی شده رویAg که به صورت شبکه لانه زنبوری دارای اندکی خمیدگی است با استفاده از نظریه تابع چگالی و قابل استفاده در کد siesta می باشد. مطالعات روی خصوصیات اپتیکی نشان می دهد که نتایج شدیدا به جهت پولاریزاسیون نور بستگی دارد. طیف جذب اپتیکی سیلیکن دارای دو پیک مهم است: i:یک پیک تیز در ev 1.77که ناشی از گذار حالت هایπ بهπ^* می باشد. ii:یک پیک پهن در بازه ev 10-4 که ناشی از گذار حالت هایσ به نوارهای هدایت است. همچنین بر روی اثر میدان الکتریکی استاتیکی اعمالی روی ساختار الکترونیکی سیلیکن مطالعه شده است که نتایج نشان می دهد اعمال میدان الکتریکی منجر به باز شدن شکاف نواری در سیلیکن می گردد و نوار ظرفیت و هدایت به طور متقارن از سطح فرمی دور می شوند و فلز سیلیکن خاصیت نیمه رسانایی پیدا می کندکه در ساخت ترانزیستورهای اثرمیدان Transistors) Field Effect ( کاربرد دارد.
بررسی خواص الکترونی و اپتیکی سیلیکن Silicene با استفاده از محاسبات اصول اولیه Keywords:
بررسی خواص الکترونی و اپتیکی سیلیکن Silicene با استفاده از محاسبات اصول اولیه authors
محمود رضایی رکن آبادی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی، مشهد
عطیه خرم شاهی زاده
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی، مشهد