بررسی عملکرد یک تقویت کننده کم نویز برای کاربردهای بسیار کم توان بلوتوث در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 658
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCNIEE06_021
Index date: 23 July 2018
بررسی عملکرد یک تقویت کننده کم نویز برای کاربردهای بسیار کم توان بلوتوث در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS abstract
در این مقاله یک تقویتکننده کم نویز با توان بسیار پایین طراحی شده است. در ساختار طراحی شده با استفاده از مقاومت فیدبک و همچنین استفاده دوباره از جریان ترانزیستور NMOS بهوسیله ترانزیستور PMOS تا حدود زیادی مصرف توان کاهش داده شده و در عین حال ترا رسانایی تقویتکننده تقریبا0 دو برابر شده است. در این ساختار در نقاطی که بارهای خازنی باعث افت پهنای باند شده بودند از سلفهای مناسب استفاده کرده و پهنای باند تا حدود زیادی گسترش داده شده است. تقویتکننده پیشنهادی در پروسه 180 نانومتر CMOS، با استفاده از نرم افزار cadence شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توان مصرفی در حدود 0/99 میلی وات و بهره بزرگتر از 12 دسیبل، در فرکانس مرکزی 2 /4 گیگاهرتز دارا می باشد. عدد نویز این ساختار در این فرکانس کمتر از 2/8 دسیبل است.
بررسی عملکرد یک تقویت کننده کم نویز برای کاربردهای بسیار کم توان بلوتوث در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS Keywords:
بررسی عملکرد یک تقویت کننده کم نویز برای کاربردهای بسیار کم توان بلوتوث در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS authors
عمران طاووسی
موسسه آموزش عالی علوم و فناوری سداهان،
عاطفه سلیمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان