بررسی اثر زیرلایه با مواد مختلف در سلول های خورشیدی GaInP/GaAs با استفاده از CdTe به عنوان ماده تونل زنی
Publish place: International Congress on Science and Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 405
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
GERMANCONF01_192
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
Abstract:
در این مقاله اثر تغییر زیرلایه را با استفاده از مواد مختلف در ساختار سلول خورشیدی GaInP / GaAs با ماده تونل زنی (CdTe) که قبلا انجام داده بودیم را در نرم افزار سیلواکو اطلس بررسی نمودیم و نشان دادیم که با توجه به خواص فیزیکی GaAs یکی از بهترین مواد در استفاده از آن به عنوان زیرلایه است. از آنجایی که باند شکاف کادمیوم تلوراید نزدیک به گالیم آرسناید است، مقدار کمیت های بدست آمده تقریبا با هم یکی است. طیف مورد استفاده در شبیه سازی ها AM1.5 است.
Keywords:
Authors
منصور نصری
کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)
روح الله بهمزک
دانشجوی کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد ابهر