طراحی یک مدار جدید برای تقویت کننده های گین متغیر و توان پایین با ساختار گسترده و پهنای باند زیاد در تکنولوژی 13/0میکرومتر CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده با گین متغیر در تکنولوژی 0.13 µm CMOS ارایه شده است. در سلول بهره این تقویت کننده از ترکیب دو ساختار کسکود تنظیم شده اصلاح شده و کسکید استفاده شده است. توپولوژی ارایه شده در این مقاله باعث شد تا پهنای باند این تقویت کننده به صورت چشمگیری افزایش یابد. برای متغیر کردن گین از تغییرات بایاس روی ترمینال گیت با استفاده از ولتاژ کنترل استفاده شده است که تغییرات آن قابل ملاحظه می باشد و همچنین روش جدیدی را در این زمینه معرفی کرده است. بازه تغییرات ولتاژ کنترل از 48/0 تا 62/0 ولت می باشد. از مزیت های مهم دیگر این طراحی می توان به بهره بالا، حفظ کامل تطبیق امپدانس ورودی و خروجی، ایزولاسیون معکوس خوب و توان مصرفی آن اشاره نمود که در مقایسه با کارهای انجام شده در این تکنولوژی برتری آن کاملا محسوس می باشد. تعداد طبقات تقویت کننده در بهینه ترین حالت محاسبه شده و تعداد آن سه طبقه می باشد. بهره تقویت کننده پیشنهادی بین 0dB تا 17dB متغیر است و پهنای باند 3-dB آن 5/23 گیگا هرتز می باشد. توان مصرفی آن 3/11 میلی وات می باشد.

Keywords:

تقویت کننده توزیع شده , Distributed Amplifiers , تقویت کننده توزیع شده با گین متغیر , Variable Gain Distributed Amplifier , کسکید , کسکود تنظیم شده اصلاح شده