طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 829
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NEEC04_070
Index date: 2 September 2018
طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی abstract
در این مقاله، مدار تبدیل سطح ولتاژ توان پایینی طراحی شده است که قابلیت تبدیل ولتاژهای ورودی کم به ولتاژهای خروجی زیاد را دارد. ساختار مدار تبدیل سطح ولتاژ، شامل یک مدار تصحیح خطای منطقی و یک طبقهLatch است. مدار تصحیح خطای منطقی در زمان انتقال جریان عملیاتی را تنها هنگامی که سطوح منطقی ورودی و خروجی با هم برابر نیستند، تولید می کند و طبقه Latch به دلیل ساختار فیدبک مثبت، سرعت مدار را افزایش می دهد. در مدار طراحی شده از تکنیک Back-Gate فناوری FinFET و آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS استفاده شده است تا از مزایای آنها بهره ببریم. نتایج شبیه سازی مدار پیشنهادی توسط نرم افزار HSPICE بیانگر آن است که تاخیر در مدار پیشنهادی 1 نانوثانیه و انرژی مصرفی آن 5 / 1 پیکوژول است. همچنین این مدار توانایی تبدیل ولتاژهای ورودی 10 میلی ولت را دارا است.
طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی Keywords:
مدار تبدیل سطح ولتاژ , مدار تصحیح خطای منطقی , فناوری FinFET , آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS , تکنیک Back-Gate
طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی authors
فاطمه اسمعیلی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
ابراهیم برزآبادی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران