بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی

گرافن نانواسکرول به دلیل دارا بودن خواص و ویژگی های منحصر به فرد فیزیکی و الکترونیکی از جمله رسانندگیالکتریکی،گرمایی واپتیکی ، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل های بار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در اینمقاله مدل سرعت حاملها در ترانزیستورهای اثر میدان بر پایه گرافن نانواسکرول به صورت تحلیلی ارایه می گردد. این مدل برمبنای مدلهای تحلیلی مربوط به ساختار باند انرژی، دانسیته یا چگالی حالت ها و تراکم حامل ها بدست می آید. نتایج بدست آمدهنشان می دهد که با افزایش انرژی فرمی نرمالیزه شده، سرعت حرکت حامل ها افزایش می یابد. همچنین بررسی تاثیر پارامتردما بر سرعت حامل ها حاکی از آنست که رابطه ی مستقیمی بین تغییرات این دو برقرار بوده و با بالا رفتن دما سرعت حامل هاافزایش می یابد. هدف نهایی این تحقیق، ارایه ی راهکاری برای مدلسازی تحلیلی ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانواسکرولی به منظور بهبود راندمان این افزاره ها در مقایسه با سایر ترانزیستور ها می باشد.

Keywords:

گرافن نانو اسکرول , ترانزیستور اثر میدان , سرعت حامل ها