سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی

Publish place: Second Conference on Energy Infrastructure, Electrical Engineering and Nanotechnology
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 710

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/781635

Document National Code:

IRCIVILC02_052

Index date: 5 October 2018

بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی abstract

گرافن نانواسکرول به دلیل دارا بودن خواص و ویژگی های منحصر به فرد فیزیکی و الکترونیکی از جمله رسانندگیالکتریکی،گرمایی واپتیکی ، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل های بار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در اینمقاله مدل سرعت حاملها در ترانزیستورهای اثر میدان بر پایه گرافن نانواسکرول به صورت تحلیلی ارایه می گردد. این مدل برمبنای مدلهای تحلیلی مربوط به ساختار باند انرژی، دانسیته یا چگالی حالت ها و تراکم حامل ها بدست می آید. نتایج بدست آمدهنشان می دهد که با افزایش انرژی فرمی نرمالیزه شده، سرعت حرکت حامل ها افزایش می یابد. همچنین بررسی تاثیر پارامتردما بر سرعت حامل ها حاکی از آنست که رابطه ی مستقیمی بین تغییرات این دو برقرار بوده و با بالا رفتن دما سرعت حامل هاافزایش می یابد. هدف نهایی این تحقیق، ارایه ی راهکاری برای مدلسازی تحلیلی ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانواسکرولی به منظور بهبود راندمان این افزاره ها در مقایسه با سایر ترانزیستور ها می باشد.

بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی Keywords:

بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی authors

فهیمه علی جانی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران

میثم رحمانی

گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی

زهرا قربانی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران

محمدتقی احمدی

گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران- گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی

مقاله فارسی "بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی" توسط فهیمه علی جانی، گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران؛ میثم رحمانی، گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی؛ زهرا قربانی، گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران؛ محمدتقی احمدی، گروه نانوفناوری،دانشکده علوم،گروه فیزیک،دانشگاه ارومیه، ۵۷۱۴۷ ارومیه،ایران- گروه تحقیقاتی نانو الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه تکنولوژی مالزی، ۸۱۳۱۰ جوهور،مالزی نوشته شده و در سال 1397 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس زیرساخت های انرژی،مهندسی برق و نانو فناوری پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله گرافن نانو اسکرول،ترانزیستور اثر میدان، سرعت حامل ها هستند. این مقاله در تاریخ 13 مهر 1397 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 710 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که گرافن نانواسکرول به دلیل دارا بودن خواص و ویژگی های منحصر به فرد فیزیکی و الکترونیکی از جمله رسانندگیالکتریکی،گرمایی واپتیکی ، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل های بار در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در اینمقاله مدل سرعت حاملها در ترانزیستورهای اثر میدان بر پایه گرافن نانواسکرول به صورت تحلیلی ارایه می گردد. این مدل برمبنای مدلهای ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی مدل تحلیلی سرعت حامل ها در ترانزیستورهای اثر میدان گرافن نانو اسکرولی با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.