بررسی خواص الکترونیکی آرسنین تک لایه با افزودن دوپینگ آلومینیوم، سیلیکون، گوگرد و فسفر
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 660
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECMCONF01_077
Index date: 27 October 2018
بررسی خواص الکترونیکی آرسنین تک لایه با افزودن دوپینگ آلومینیوم، سیلیکون، گوگرد و فسفر abstract
در این مقاله با استفاده از محاسبات اصول اولیه، در ابتدا ساختار آرسنین تک لایه را از نظر پایداریترمودینامیکی، مورد بررسی و مطالعه قرار دادهایم. همچنین اعمال ناخالصی به شبکه کریستالی آرسنین نیزمورد بررسی قرار گرفته است. در ادامه خواص الکترونیکی آرسنین تک لایه با توجه به میزان شکاف نوارانرژی، نمودارهای ساختار نوار انرژی و چگالی حالات مطالعه شده است. با استفاده از شبیه سازی ها میزانشکاف انرژی آرسنین تک لایه بدون اعمال ناخالصی مقدار 1/61 الکترون ولت و به صورت غیر مستقیم بدست آمده است. شبیه سازی های انجام شده در این تحقیق نشان داده است که اضافه کردن ناخالصی آلومینیوم وفسفر منجر به ایجاد خاصیت نیمهرسانایی با گاف انرژی 0/7 و 1/62 الکترون ولت می شود. لازم به ذکر است، ناخالصی آلومینیوم شکاف باند مستقیم و ناخالصی فسفر شکاف باند غیر مستقیم ایجاد می کنند. همچنیناضافه کردن ناخالصی سیلیکون و گوگرد منجر به ایجاد خاصیت شبه فلزی در آرسنین می شوند.
بررسی خواص الکترونیکی آرسنین تک لایه با افزودن دوپینگ آلومینیوم، سیلیکون، گوگرد و فسفر Keywords:
بررسی خواص الکترونیکی آرسنین تک لایه با افزودن دوپینگ آلومینیوم، سیلیکون، گوگرد و فسفر authors
آرش یزدان پناه گوهرریزی
دانشگاه شهید بهشتی، دانشکده مهندسی برق، تهران، ایر
آرش کرایی شیراز
دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، تهران، ایران