طراحی یک اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ به همراه کنترل آینده نگر توان پایین PLL با تکنولوژی FinFET
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,038
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
TECCONF03_028
Index date: 27 October 2018
طراحی یک اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ به همراه کنترل آینده نگر توان پایین PLL با تکنولوژی FinFET abstract
در این مقاله چند اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ حلقوی((Ring VCO با رویکرد توان پایین در تکنولوژیهایCMOS و FinFET مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. با استفاده از تکنیک بالک درایور، تغییر در تکنولوژی ساخت و کاهش ولتاژ تغذیه در ولتاژهای زیرآستانه در این اسیلاتورها موجب کاهش چشمگیر توان مصرفی نسبت به مدلهای مشابه قبلی شده است. شبیهسازیها با نرم افزار HSPICE و مقایسه با پارامترهای تکنولوژی 90 نانو متر و 20 نانو متری در فرکانس 400 مگاهرتز به ترتیب دارای توان تلفاتی 480 و 100 نانو وات و ولتاژ تغذیه 0/35 و 0/26 ولت شده است.
طراحی یک اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ به همراه کنترل آینده نگر توان پایین PLL با تکنولوژی FinFET Keywords:
حلقه قفل شده فاز , اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ , توان پایین , بالک درایو , ولتاژ زیر آستانه , FinFET
طراحی یک اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ به همراه کنترل آینده نگر توان پایین PLL با تکنولوژی FinFET authors
علی مولوی
دانشجوی کارشناسی ارشد مدارات مجتمع الکترونیک دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.
علیرضا حسن زاده
استادیار گروه مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
محسن عبداللهی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد مدارات مجتمع الکترونیک دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.