تعییین انرژی های مشخصه در لایه نازک سیلیکون کرباید ساخته شده به روش بخار شیمیایی با سیم داغ در فشارهای گاز متفاوت
Publish place: 1st National Conference on Micro/Nanoscale Technologies
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 384
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MNTECH01_091
تاریخ نمایه سازی: 23 آذر 1397
Abstract:
در این روش ساخت لایه نازک سیلیکون کرباید پارامترهای کنترلی زیادی وجود دارد که از جمله فشار جزیی گاز ورودی میباشد. پس از تکمیل فرایند ساخت، اثر تغییرات این پارامتر بر ویژگی های اپتیکی و ضریب شکست لایه ها از طریق اندازه گیری طیف عبور UV-Vis_NIR محاسبه گردید. بررسی چگونگی تغییر در مقادیر انرژی از طریق ضریب شکست نشان میدهد با افزایش شار ورود گاز برای نسبت سیلان به متان از مقادیر 5/10 تا2،5/50 مقدار گاف انرژی را از 2.26ev به 1.88ev کاهش می باید.
Keywords:
Authors
مهرنوش فخرالدین
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان
فاطمه شریعتمدار طهرانی
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان
مجید جعفر تفرشی
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان