باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 5، Issue: 4
Publish Year: 1384
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 474
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-5-4_008
Index date: 20 January 2019
باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم abstract
در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی ( در دمای 900°C و با استفاده از بخار آب ) رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100keV در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای (فرمول درمتن مقاله ) بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (RBS) بررسی می شود. همچنین، نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده، افزایش سرعت رشد را نشان میدهد. ایجاد Shallow Junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است
باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم Keywords:
باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم authors
داود آقاعلی گل
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
علی باقی زاده
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
داریوش فتحی
دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی - تهران خیابان شریعتی - خیابان جلفا، دانشکده علوم - گروه فیزیک