بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی

در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با مقاومت منفی که با ایجاد یک هاله ناخالصیپله ایی در کانال ایجاد شده است، را پیشنهاد شده و اثر تغییر شدت ناخالصی آلایش پله ایی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، مقاومت دیفرانسیل منفی بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش NEGF شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مقدار جریان روشنایی و همچنین نسبت جریان روشنایی به خاموشی با با ایجاد ساختار پله ایی افزایش می یابد.

بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی Keywords:

نانولوله کربنی , تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) , هاله ناخالصی , آلایش سبک ناحیه سورس و درین (LDDS) , مقاومت دیفرانسیل منفی

بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی authors

سمانه کوهستانی

کارشناسی ارشد،گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران

سیدعلی صدیق ضیابری

استادیار، گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/830716

Document National Code:

SCECE04_050

Index date: 9 March 2019

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

کوهستانی، سمانه و صدیق ضیابری، سیدعلی،1397،بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی،Fourth National Conference on Soft Computing in Electrical and Computer Engineering،Ardabil،https://civilica.com/doc/830716

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، کوهستانی، سمانه؛ سیدعلی صدیق ضیابری)
برای بار دوم به بعد: (1397، کوهستانی؛ صدیق ضیابری)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University of Rasht

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 9,190

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی" توسط سمانه کوهستانی، کارشناسی ارشد،گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران؛ سیدعلی صدیق ضیابری، استادیار، گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران نوشته شده و در سال 1397 پس از تایید کمیته علمی چهارمین کنفرانس ملی محاسبات نرم در مهندسی برق و کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله نانولوله کربنی، تابع گرین غیرتعادلی (NEGF)، هاله ناخالصی، آلایش سبک ناحیه سورس و درین (LDDS)، مقاومت دیفرانسیل منفی هستند. این مقاله در تاریخ 18 اسفند 1397 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 412 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با مقاومت منفی که با ایجاد یک هاله ناخالصیپله ایی در کانال ایجاد شده است، را پیشنهاد شده و اثر تغییر شدت ناخالصی آلایش پله ایی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، مقاومت دیفرانسیل منفی بررسی می ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.