بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 343
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCECE04_050
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با مقاومت منفی که با ایجاد یک هاله ناخالصیپله ایی در کانال ایجاد شده است، را پیشنهاد شده و اثر تغییر شدت ناخالصی آلایش پله ایی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، مقاومت دیفرانسیل منفی بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش NEGF شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مقدار جریان روشنایی و همچنین نسبت جریان روشنایی به خاموشی با با ایجاد ساختار پله ایی افزایش می یابد.
Keywords:
نانولوله کربنی , تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) , هاله ناخالصی , آلایش سبک ناحیه سورس و درین (LDDS) , مقاومت دیفرانسیل منفی
Authors
سمانه کوهستانی
کارشناسی ارشد،گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران
سیدعلی صدیق ضیابری
استادیار، گروه برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران