طراحی گیت های منطقی تمام نوری NOT و XOR با نرخ وضوح بالا و بر اساس تداخل درکریستال های فوتونی دو بعدی
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 695
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICELE03_121
Index date: 9 March 2019
طراحی گیت های منطقی تمام نوری NOT و XOR با نرخ وضوح بالا و بر اساس تداخل درکریستال های فوتونی دو بعدی abstract
این مقاله ساختاری فشرده و سازگار با فنآوری سیلیکون برای تحقق گیت های منطقی تمام نوری NOT وXOR با استفاده از کریستال های فوتونی دو بعدی ارایه شده است. شبکه کریستال فوتونی بکار گرفته شده از آرایه 20ستونی و 14 سطری میله های دی الکتریک، از جنس سیلیکون در بستر هوا تشکیل شده است. ساختار از سه موجبر نقصخطی و یک اتصال T شکل بهینه شده توسط نانوتشدیدگره ای نقطه ای تشکیل شده و دارای دو پورت ورودی و یک پورت خروجی است، که در حالت NOT به یکی از ورودیها سیگنال بایاس اعمال می گردد. در شبیه سازی ها از روش تفاضل متناهی در حوزه زمان و بسط امواج تخت استفاده شده است. نرخ وضوح محاسبه شده برای گیت های نوری XOR و NOT به ترتیب 34/31 و 34/4 دسیبل و زمان پاسخ گیته 0/317 پیکوثانیه میباشد، که نرخ ارسال داده 3/15 ترابیت بر ثانیه ای را ایجاد می نماید.
طراحی گیت های منطقی تمام نوری NOT و XOR با نرخ وضوح بالا و بر اساس تداخل درکریستال های فوتونی دو بعدی Keywords:
طراحی گیت های منطقی تمام نوری NOT و XOR با نرخ وضوح بالا و بر اساس تداخل درکریستال های فوتونی دو بعدی authors
محمود صیفوری
دانشیار گروه الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
سعید علیایی
استاد گروه الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
مصطفی سرداری
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران