طراحی گیت های منطقی تمام نوری NOT و XOR با نرخ وضوح بالا و بر اساس تداخل درکریستال های فوتونی دو بعدی

این مقاله ساختاری فشرده و سازگار با فنآوری سیلیکون برای تحقق گیت های منطقی تمام نوری NOT وXOR با استفاده از کریستال های فوتونی دو بعدی ارایه شده است. شبکه کریستال فوتونی بکار گرفته شده از آرایه 20ستونی و 14 سطری میله های دی الکتریک، از جنس سیلیکون در بستر هوا تشکیل شده است. ساختار از سه موجبر نقصخطی و یک اتصال T شکل بهینه شده توسط نانوتشدیدگره ای نقطه ای تشکیل شده و دارای دو پورت ورودی و یک پورت خروجی است، که در حالت NOT به یکی از ورودیها سیگنال بایاس اعمال می گردد. در شبیه سازی ها از روش تفاضل متناهی در حوزه زمان و بسط امواج تخت استفاده شده است. نرخ وضوح محاسبه شده برای گیت های نوری XOR و NOT به ترتیب 34/31 و 34/4 دسیبل و زمان پاسخ گیته 0/317 پیکوثانیه میباشد، که نرخ ارسال داده 3/15 ترابیت بر ثانیه ای را ایجاد می نماید.

Keywords:

کریستال فوتونی , گیت منطقی تمام نوری , شکاف باند فوتونی , نانوتشدیدگر , تداخل