مطالعه عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی جریان نانوسیال در یک میکروکانال
Publish place: Fifth International Conference on Quality Research in Electrical and Mechatronics Electrical Engineering
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 591
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELEMECHCONF05_083
Index date: 11 June 2019
مطالعه عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی جریان نانوسیال در یک میکروکانال abstract
بحث نانوسیال و میدان مغناطیسی روش های بسیار مهمی و با اهمیتی برای افزایش انتقال حرارت می باشند، از طرفی افزایش قیمت انرژی و کاهش میزان انرژی های تجدیدناپذیر، باعث شده است که محققان در صدد یافتن روشی برای بهینه سازی انتقال حرارت باشند. هدف از انجام این تحقیق بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی در میکروکانال حاوی نانوسیال می باشد. نانوسیال در نظر گرفته شده در این پژوهش نانوسیال آلومینا در پایه آب می باشد. انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در یک میکروکانال دو بعدی تحت تاثیر یک میدان مغناطیسی ثابت به صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. اثر میدان مغناطیسی و مانع ایجاد شده در کانال بر ضریب انتقال حرارت جابجایی در درصدهای حجمی، اعداد رینولدز، شارهای حرارتی و شدت میدان مغناطیسی های مختلف مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج به صورت نمودارهای اعداد ناسلت ارائه شده است. نتایج نشان دادند که افزایش شدت میدان مغناطیسی و کسر حجمی ذرات و ایجاد مانع در میکروکانال باعث افزایش اعداد ناسلت و بهبود انتقال حرارت می شود.
مطالعه عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی جریان نانوسیال در یک میکروکانال Keywords:
مطالعه عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی جریان نانوسیال در یک میکروکانال authors
حسین کاکولوند
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران
حبیب اله صفرزاده
استادیار گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران