بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون

در این مقاله تاثیر اثر خودگرمایی بر مشخصه جریان-ولتاژ درین افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. اثر خودگرمایی با میدان الکتریکی رابطه مستقیم دارد، و افزایش آن باعث کاهش جریان-ولتاژ درین می شود. ایده ی به کار رفته در این پژوهش استفاده از حالت فرورفتگی گیت به شکل U و استفاده از فلز برای جذب خطوط میدان در بستر میباشد. در این مقاله نشان داده شده است که این ایده باعث بهبود چشمگیری در افزایش جریان– ولتاژ درین می شود. چگونگی تاثیر این ایده بر رفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.

بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون Keywords:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا , اثر خودگرمایی , میدان الکتریکی , فرو رفتگی گیت , جریان-ولتاژ درین

بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون authors

فاطمه پویا

دانشجوی کارشناسی، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران،

فاطمه حاجی آقالو

دانشجوی کارشناسی، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران،

زینب رمضانی

مدرس، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/936169

Document National Code:

ECTCONF01_055

Index date: 5 October 2019

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

پویا، فاطمه و حاجی آقالو، فاطمه و رمضانی، زینب،1397،بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون،First National Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Communications Technology،Isfahan،https://civilica.com/doc/936169

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، پویا، فاطمه؛ فاطمه حاجی آقالو و زینب رمضانی)
برای بار دوم به بعد: (1397، پویا؛ حاجی آقالو و رمضانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Technical and Vocational University

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 9,760

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون" توسط فاطمه پویا، دانشجوی کارشناسی، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران،؛ فاطمه حاجی آقالو، دانشجوی کارشناسی، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران،؛ زینب رمضانی، مدرس، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی تهران، تهران نوشته شده و در سال 1397 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری ارتباطات پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا، اثر خودگرمایی، میدان الکتریکی، فرو رفتگی گیت، جریان-ولتاژ درین هستند. این مقاله در تاریخ 13 مهر 1398 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 586 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله تاثیر اثر خودگرمایی بر مشخصه جریان-ولتاژ درین افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. اثر خودگرمایی با میدان الکتریکی رابطه مستقیم دارد، و افزایش آن باعث کاهش جریان-ولتاژ درین می شود. ایده ی به کار رفته در این پژوهش استفاده از حالت فرورفتگی گیت به شکل U و استفاده از فلز برای جذب خطوط میدان در ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.