تنظیم پذیری مد نقص در بلور فوتونی یک بعدی با استفاده از لایه ی گرافن
Publish place: Iranian Physics Conference
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 357
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_398
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
در این مقاله یک بلور فوتونی یک بعدی با لایه ی نقص که از هر دو طرف با لایهای از گرافن احاطه شده است را مورد بررسی قرار دادیم که رسانندگی نوری گرافن توسط عامل خارجی میدان الکتریکی کنترل میشود. با تاثیر عامل خارجی در رسانندگی نوری گرافن و تنظیم پارامترهای بلور فوتونی باعث ایجاد مد نقص در ناحیه ی 1500 نانومتر میشویم که یک طول موج رایج در الکترواپتیک محسوب میشود.
Authors
عزیزه علی دوست قطار
دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز، گروه حالت جامد و الکترونیک
علی سلطانی والا
دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز، گروه حالت جامد و الکترونیک.پژوهشکده ی فیزیک کاربردی و تحقیقات ستاره شناسی دانشگاه تبریز، تبریز