تاثیر تنش کششی بر امپدانس مغناطیسی نوارهای آمورفCoFeSiB

در این مقاله امپدانس مغناطیسی نوارهای آمورفCoFeSiB درمحدوده فرکانسی 0/2تا15مگاهرتز قبل و بعد از اعمال تنش کششی مورد بررسی قرارگرفته است.داده های بدست آمده از آزمایشات نشان میدهد که امپدانس مغناطیسی این نوارها به طور موثری بعد از اعمال یک تنش کششی طولی افزایش مییابد. تنش کششی باعث می شود که ناهمسانگردی در مواد مغناطیسی تغییر کند و تغییرات در امپدانس را به همراه داشته باشد. بیشترین میزان افزایش امپدانس مغناطیسی در فرکانس 4 مگاهرتز و به میزان 142 درصد بعد از اعمال تنش کششی برابر 119 مگاپاسکال بدست آمد. بیشترین حساسیت میدان این نوارها در فرکانس 4 مگاهرتز، زمانی بدست آمد که تنشی برابر 119 مگاپاسکال به نمونه اعمال شد. این نتایج نشان میدهد که روش جدید تنش کششی میتواند روشی موثر، کم هزینه و سریع در کاربردهای حسگری باشد.