Optical Field Enhancement Factor of Silicon and Indium Phosphide Nano-cavities
Publish place: National Conference on Nanosciences and Nanosciences
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 396
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN03_004
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
Nano cavities based on silicon and indium phosphide materials have been compared inthis study, considering field intensity enhancement factor. The results of FDTD basedsimulations declare that the Si nano-cavity improves confined optical field about 7.7times higher than the InP based nano-cavity. The introduced dielectric nano-cavitiessupport resonance wavelength at about λ = 1.55 μm.
Keywords:
Authors
Nassibeh Ebadi
Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Roshdiyeh Higher Education Institute, Tabriz, Iran