Strong Optical Filed Intensity Improvement Introducing InGaAsP Quantum Wells in InP Nanocavity
Publish place: National Conference on Nanosciences and Nanosciences
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 415
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN03_005
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
This paper presents the optical characteristics of a quantum well doped InP nanocavity.The resonance wavelength of the nanocavity and the optical field intensity is calculatedbefore and after presence of the quantum wells. The resulting huge filed intensity ofabout 1.2×108 respect to the incident field is the effect of quantum wells placed invicinity of center of nanocavity.
Keywords:
Authors
Nassibeh Ebadi
Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Roshdiyeh Higher Education Institute, Tabriz, Iran