بررسی ساختار الکترونی ترکیبات (XCsK(K=Si, Ge, Sn با استفاده از نظریه تابعی چگالی

محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (DFT) برای آلیاژهای نیم هویسلر (XCsK(X-Si, Ge, Sn با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته با پتانسیل کامل (FPLAPW) به منظور بررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی انجام شد. این ترکیبات فرومغناطیس نیم فلز هستند. در گام نخست خواص ساختاری شامل پارامتر شبکه ی تعادلی، مدول حجمی و مشتق مدول حجمی برای این ترکیبات در سه ساختار متفاوت (Y(II), Y(I و (Y(III محاسبه شده است. ساختارهای نواری و چگالی حالت های مطالعه شدند. ساختار نوار انرژی این ترکیبات، خاصیت نیم فلزی را تایید می کند. همچنین منشاء گاف های نواری اکثریتی در ترکیبات مختلف مورد بحث قرار گرفته است. مقادیر گاف اکثریتی با تغییر عنصر X از Si→ Ge→ Sn کاهش می یابد. در همه ی ترکیبات مقادیر قابل ملاحظه ی گاف نیم فلزی نشان دهنده ی پایداری خاصیت نیم فلزی در همه ترکیبات است. گشتاورهای مغناطیسی کلی و جزئی ترکیبات نیم فلزی (XCsK(X=Si, Ge, Sn برابر با 2μB به دست آمده است که از رابطه اسلیتر پائولینگ M(tot)=(8-Z(T)μB تبعیت می کنند.

Keywords:

الیاژهای نیم هویسلر , نیم فلزات , خواص ساختاری , خواص الکترونی , خواص مغناطیسی