استفاده از یک نانولایه برای افزایش دمای عملکرد سنسورهای مادون قرمز InSb
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,232
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_386
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
دراین مقاله روشی برای افزایش دمای عملکرد سنسور مادون قرمز InSb بیان شده است سنسورمادون قرمز فوتو - ولتائیک (InSb PVS) InSb ساختاری از یک دیود InSb p+ - p - +n می باشد که روی زیرلایه GaAs100 رشد داده شده به همراه یک لایه سد نانومقیاس In1-xAlxSb مابین لایه های +p, p- که از نفوذ الکترونهای برانگیخته نوری جلوگیری می کند برای افزایش نسبت سیگنال بهنویز اتصال سری تعداد زیادی دیود نوری InSb برروی زیرلایه انجام شدهاست ضمنا با توجه به اینکه اشکار ساز درحالت فوتوولتائیک کار می کند به عایق سازی حرارتی نیازی نخواهد بود و در نتیجه عمل کوچک سازی نیز راحت تر انجام می گیرد.
Keywords:
Authors
محمد ندیمی
تهران دانشگاه علم و صنعت ایران دانشکده برق گروه الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :