مقایسه ساختار ادوات Hetero SBMOS با SBMOS در مقیاس نانومتری
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 915
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_680
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
ترانزیستورهای ماسفت به علت ویژگی مقیاس پذیری مطلوب درچندین دهه گذشته از محبوبیت بالایی برخوردار بوده اند با این وجود ورود به حوزه ابعاد نانو این ادوات را با محدودیتهای فیزیکی بسیاری مواجه کرده است دراین مقاله ترانزیستور ماسفت با سورس/ درین فلزی و کانال کرنش یافته و ماسفت با سورس/ درین شاتکی به عنوان ساختارهایی که این مشکلات را مرتفع می کنند موردمطالعه و شبیه سازی قرارگرفته اند و با یکدیگر مقایسه گردیده اند استفاده از ساختار ماسفت با سورس/ درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حاملها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس/ درین شاتکی و کانال سیلیسیم می گردد بنابراین استفاده ازکانال کرنش دار روشی نوین برای جایگزینی باماسفت دارای سورس/ درین شاتکی در مقیاس نانو میباشد.
Keywords:
Authors
مریم نیری
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فاطمه کهنی خشکبیجاری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :