عملکرد سلول خورشیدی تک اتصالی مبتنی برIn0.2Ga0.8N در دماهای بالا
Publish place: 14th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 899
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_058
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
Abstract:
در این مقاله ابتدا سلول خورشیدی In0.2Ga0.8N و لایه های تشکیل دهنده آن را معرفی می کنیم، جزییات طراحی هر لایه از قبیل ضخامت، نوع و میزان آلایش را ارایه می کنیم و مشخصه جریان- ولتاژ آن را در دمای K300 بدست می آوریم. سپس سلول خورشیدی In0.2Ga0.8N را در دماهای مختلف بررسی کرده و تاثیر دما را بروی مشخصات الکتریکی سلول از قبیل ولتاژ مدار باز و چگالی جریان اتصال کوتاه برسی خواهیم نمود
Keywords:
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشکده برق و کامپوتر دانشگاه تهران
فواد یزدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
احمد تقی نیا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :