بررسی و مقایسه نانو ماسفت های دوگیته با cntfet
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 248
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCRSR-1-8_002
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1400
Abstract:
در دهه های اخیر بهعلت پیشرفت زیاد در الکترونیک، طول کانال ماسفت ها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبی ها نیز بههزاران گیگاهرتز رسیده است. در چنین ماسفت هایی که اندازه قطعه از طول پراکندگی حامل کوچکتر است احتمال اینکهحامل ها کانال را از الکترودهای سورس به درین بدون مواجهه با رخداد پراکندگی طی کنند بسیار زیاد می باشد؛ به چنینترابردی به اصطلاح ترابرد بالیستیک گویند. ولی در عمل مشخصات نانو ماسفت ها با حالت ایده آل و ترابرد بالیستیک فاصلهداشته که این به خاطر وجود پراکندگی در کانال می باشد. دراین کار پژوهشی علل ایجاد پراکندگی در کانال بررسی شده و درآخر راهکارهایی برای کاهش آن مطرح گردیده است. یکی از موارد کاهش پراکندگی کانال استفاده از نانولوله های کربنی درکانال بوده که تاثیرات آن مورد بررسی قرار گرفته است. در آخر نیز با استفاده از شبیه ساز سیلواکو منحنی مشخصه V-I یکFET دو گیته با CNTFET دوگیته ترسیم و مقایسه شده است.
Keywords:
Authors
اشرف السادات ضیائی بافقی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق
محمدرضا شایسته
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق