مدار ضرب کننده آنالوگ با توان مصرفی و ولتاژ پایین و فرکانس بالا
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,025
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_285
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
دراین مقاله ضرب کننده آنالوگ CMOS چهار ربعی پیشنهاد شده است که از قانون مربع استفاده می کند همهترانزیستور ها در ناحیه اشباع کار می کنند مدار در تکنولوژی 0/35μM با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است توان مصرفی مدار 271μW می باشد و با منبع تغذیه 1.2+ کار می کند یکی از ویژگیهای این مقاله استفاده ازدو ترانزیستور MOS می باشد که محدودیت کاهش ولتاژ تغذیه را از بین می برد و منجر به کاهش مصرف انرژی می شود. این مدار دارای پاسخ فرکانس گیگاهرتز می باشد.
Keywords:
Authors
اصغر شاهسوندی
استاد دانشگاه علمی کاربردی واحد نی ریز
محمود آل شمس
هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن محمدی زفره
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک
ناصر اکرمی نژاد
استاددانشگاه جامع علمی کاربردی واحد نی ریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :