سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH

Publish Year: 1394
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 278

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_MAIA-9-3_011

Index date: 22 February 2022

بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH abstract

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (۱۰۰) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف ۵%، ۱۰%، ۱۵% و ۲۵% و در دماهای مختلف oC ۷۰، oC ۸۰ و oC۹۰ انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از ۱۰% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h۶۲ در غلظت­۱۰% و دمای oC ۹۰ است. تصاویر SEM نشان می­دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی­های شبیه به تپه­های هرمی شکل کوچک ظاهر می­شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری ­با افزایش غلظت TMAH کاهش می­یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH  با غلظت­های بالا، صاف­تر می­باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <۱۰۰> نسبت به صفحه <۱۱۱> برای TMAH با غلظت­۱۰% به دست آمده است که مقدار آن ۶/۱۰ است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.

بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH Keywords:

میکروماشین کاری , لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون , ناهمواری سطح سیلیکون , TMAH

بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH authors

حسن عبداللهی

مدیر پژوهش دانشکده برق دانشگاه هوائی شهید ستاری

حسن حاج قاسم

عضو هیات علمی دانشگاه تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
H. Seidel, L. Csepregi, A. Heuberger& H. Baumgartel, “Anisotropicetching of ...
K. Biswas & S. Kal, “Etch characteristics of KOH, TMAH ...
G. T. Kovacs, N. I. Maluf & K. E. Petersen, ...
Barycka, I. Zubel, “Silicon anisotropic etching in alkali solutions”: Sensors ...
K. E. Petersen, “Silicon as a mechanical material”, Proc. IEEE, ...
R. M. Finne & D. L. Klein, “A water-amine complexing ...
O. Tabata, R. Asahi, H. Funabashi, K. Shimaoka & S. ...
X. Yi, J. Lai, H. Liang & X. Zhai, “Fabrication ...
K. Lian, S. Smith, A. J. Walton, A. M. Gundlach ...
P. M. Sarro, D. Brida, W. V. D. Vlist & ...
Merlos, M. Acero, J. Bausells & J. Esteve, “TMAH/IPA anisotropic ...
P. H. Chen, H. Y. Peng, C. M. Hsieh & ...
J. T. L. Thong, W. K. Choi & C. W. ...
K. Biswas, S. Das, D. K. Maurya, S. Kal & ...
G. Yan, P. C. H. Chan, I. Hsing & R. ...
Y. K. Bhatnagar & A. Nathan, “On pyramidal protrusions in ...
E. H. Klaassen, R. J. Reasy, C. Storment & G. ...
نمایش کامل مراجع