استخراج عناصرمدل سیگنال کوچک ترانزیستور MESFET به کمک نتایج اندازه گیری
Publish place: 11th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1382
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,869
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE11_129
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1391
Abstract:
دراین مقاله یک روش ساده و دقیق برای استخراج پارامترهای داخلی و خارجی ترانزیستور MESFET براساس نتایج اندازه گیری ارایه میشود این روش براساس روشهای تحلیلی و بهینه سازی ساده بیان شده است دراینجا برخلاف بیشتر روشهای مشخصه گذاری ترانزیستور نیازی به روشهای DC نمی باشد و فقط از پارامترهای S حاصل از اندازه گیری درنقاط بایاس مختلف استفاده می شود همچنین خازنهای PAD به مدل مداری اضافه می شود تا بتواند بهتر رفتارترانزیستور را شبیه سازی کند برخلاف بیشترروشها که درمرحله codl-FET از مقاومت کانال مقاومت شاتکی گیت و خازن داخلی C صرفنظر می شود دراینجا با استفاده از دو مرحله اندازه گیری اضافه مقادیراین مقاومت ها و خازن C با دقت مناسب محاسبه می شود ابتدا درحالت PINCH -OFF مقدارخازنهای پد پارازیت محاسبه می شود ودرحالت بدون بایاس سلفها و مقاومت پارازیت خارجی بدست می آیند.
Keywords:
مدلسازی MESFET - استخراج پارامترهای MESFET عناصر پارازیت
Authors
مهدی بزرگی
دانشجوی کارشناسی ارشد مخابرات دانشگاه امیرکبیر
عبدالعلی عبدی پور
دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده برق گروه مخابرات
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :