ترانزیستور آی ماس با ساختار نوار پلکانی
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 877
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_189
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
برای کاهش احتمال تونل زنی نوار به نوار - 1 ، یک ترانزیستور آی ماس 2 با ساختار نوار 3 پلکانی 4 ناهمگون 5 ارائه شده است. بهره گیری ازمهندسی شکاف انرژی در این ساختار باعث کاهش V 2/2 در ولتاژ شکست ترانزیستور نسبت به آی ماس Si و SiGe شده است. از آن جا که ماده ی با شکاف انرژی بزرگتر در سمت سورس قرار دارد، جریان خاموش آن ده مرتبه کمتر است
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :