سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی

Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,676

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICEE20_198

Index date: 4 August 2012

استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی abstract

این مقاله برای افزایش فرکانس نوسان در اسیلاتورهای حلقوی روشی را پیشنهاد می کند که مبنای انتخاب آن از روابطی نشأت میگیرد –که برای تعیین فرکانس نوسان این نوع از اسیلاتورها استفاده می شود، بطوریکه طبق روابط بدست آمده برای محاسبه فرکانس نوسان دراسیلاتورهای حلقوی، همواره با کاهش خازن های گره خروجی، فرکانس نوسان افزایش خواهد یافت. لذا در روش پیشنهادی، با استفاده از سلول های ایجاد کننده خازن منفی حتّی زمانی که خازن گره خروجی فقط ناشی از خازنهای پیوندی ترانزیستورها باشد، می توان فرکانس را افزایش داد. کارایی این روش با شبیه سازی یک اسیلاتور حلقوی 3 طبقه بررسی شده که طبقات بهره در آن، تقویت کننده های سورس مشترکی اند که از ترانزیستورهایTSMC CMOS 0.18 um و مقاومت اهمی متصل به درین شکل گرفته اند. شبیه سازی این اسیلاتور حلقوی نوعی، افزایش 9 برابری فرکانس نوسان را نشان داده است. این نتیجه حتّی بهتر از حالتی است که از خازن منفی ایده آل در گره های خروجی اسیلاتور شبیه سازی شده در این مقاله استفاده شده است.

استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی Keywords:

استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی authors

محمد فلاح

دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
B. Razavi "RF transmitter architectures and circuits", Proc. IEEE Custom ...
Zuow-Zun Chen; Tai-Cheng Lee, "The Study of a Dual-Mode Ring ...
M. Gholami, Gh. Ardeshir and H. Ghonoodi, "A novel architecture ...
multipliers", IEICE Electro, Express, Vol. 8, No. I1, pp.859-865, (2011). ...
Guansheng Li, E. Afshari, "A L _ -Phase-Noise Multi-Phase Oscillator ...
Hai Qi Liu; Wang Ling Goh; Siek, L.; Wei Meng ...
Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on Circuits and Systems, ...
T.Weigandt, _ :Low -phase-noise, low-timing-j itter design techniques for delay ...
M. Alioto and G Palumbo, "Oscillation frequency in CML and ...
_ _ _ _ Solid-State Circuits, vol.39, no.12 pp. 2311 ...
Ghadiri, A.; Moez, K.; , _ Gain-Enhanced Distributed Amplifier Using ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی" توسط محمد فلاح، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل؛ محمد غلامی؛ غلامرضا اردشیر نوشته شده و در سال 1391 پس از تایید کمیته علمی بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اسیلاتور حلقوی، توان نرمالیزه، خازن منفی، سلّول بهره هستند. این مقاله در تاریخ 14 مرداد 1391 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2676 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که این مقاله برای افزایش فرکانس نوسان در اسیلاتورهای حلقوی روشی را پیشنهاد می کند که مبنای انتخاب آن از روابطی نشأت میگیرد –که برای تعیین فرکانس نوسان این نوع از اسیلاتورها استفاده می شود، بطوریکه طبق روابط بدست آمده برای محاسبه فرکانس نوسان دراسیلاتورهای حلقوی، همواره با کاهش خازن های گره خروجی، فرکانس نوسان افزایش خواهد یافت. لذا در روش ... . برای دانلود فایل کامل مقاله استفاده از خازن منفی برای افزایش فرکانس در اسیلاتورهای حلقوی با بار مقاومتی با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.