شبیه سازی ساختار انرژی نانوذرات نیمه هادی سولفید کادمیوم با روش تنگ بست
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,455
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_299
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
سولفید کادمیوم نیمه هادی گروه II–VI با شکاف باند مستقیم و برابر eV 4/24 در حالت توده می باشد. این ماده در تولید ادوات اپتوالکترونیکی کاربرد فراوان داشته و امروزه به دلیل زمانبر بودن و هزینه های بالای روشهای آزمایشگاهی، شبیه سازی خواص الکترونیکی نانو ساختارهای این ماده مورد توجهمی باشد. در این مقاله شبیه سازی خواص الکترونیکی نانو ساختار نیمه هادی سولفید کادمیوم با روش تنگ بست انجام گرفته و در آن از پارامترهای SK استفاده شده است. شکاف باند در اندازه های مختلف محاسبه و با گزارشات تجربی مقایسه گردید بعلاوه نشان داده شد که افزایش اندازه در محاسبات صورت گرفته از اثر اندازه کوانتومی پیروی می کند
Keywords:
Authors
آزاده میرعباسی
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، تهر
علیرضا نیک فرجام
دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران،
داود فتحی
دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :