اثر ترکیب بر پارامترهای فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه ZBS

فلش زینتر یکی از جدیدترین فرایندهای زینتر سرامیکها است که بهدلیل سرعت بالای زینتر و کاهش قابل توجه انرژی، اخیرا بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته است. ویژگی مهم برای انجام موفقیت آمیز فلش، داشتن رفتار نیمرسانایی با ضریب دمایی منفی (NTC) است. در این پژوهش فرایند فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه ZnO-Bi۲O۳-Sb۲O۳(ZBS) مورد بررسی قرار گرفته و اثر تغییر نسبت مولی ترکیب و افزودن اکسیدکبالت (Co۳O۴) به عنوان عامل افزایش دهنده هدایت الکتریکی مطالعه شده است. شرایط بهینه فرایند فلش با اعمال مقادیر مختلف میدان الکتریکی و چگالی جریان تعیین شد که نهایتامیدان الکتریکی ۳۰۰ V/cm و چگالی جریان ۱۰۰ mA/cm۲ بدست آمد. بررسی ساختاری و شناسایی فازهای تشکیل شده به ترتیب به وسیله میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش پرتوی ایکس انجام شده است. اندازهگیری مشخصات الکتریکی وریستور (ضریب غیرخطی، ولتاژ شکست و جریان نشتی) تحت میدان الکتریکیDC صورت گرفت. چگالی نمونه دارای افزودنی اکسیدکبالت ۹۷ درصد چگالی تئوری شد. نتایج SEM حاکی از تشکیل ریزساختار وریستور با متوسط اندازه دانه ۳ میکرون میباشد. با تعیین مشخصات الکتریکی،رفتار وریستوری مشاهده شد که در آن ضریب غیرخطی ۲۲، ولتاژ آستانه ۴۵۰۰ V/cm و چگالی جریان نشتی μA/mm۲ بود.

Keywords:

فلش زینتر , وریستور , اکسید روی , ZBS