On the Capacitive Behavior of Nanostructured Molybdenum Oxide
Publish place: 2nd International Congress on Nanoscience and Nanotechnology
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 913
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN02_421
تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391
Abstract:
Transition metal oxides are suitable materials for small ions, like H+ and Li+, intercalation/deintercalation, a process which makes them as good candidates for a wide range of applications such as electrochromic and energy storage devices. Also, nanostructure materials have been attracted due to their hopeful properties to apply in nanodevices and in industry like gas sensors, smart windows, electronic display devices, batteries and so on [1]. There are several methods to prepare the molybdenum oxides thin films like sol-gel, sputtering, chemical vapor deposition and electrodeposition [2]. Among these methods the electrodeposition technique sounds to be the most economic and suitable for making thin film on a large surface.In this work we prepared nanostructured molybdenum oxide by electrodeposition method and investigated its capacitive behavior by electrochemical techniques like cyclic voltammetery, galvanic charge/discharge and impedance spectroscopy.
Authors
Shokufeh Moghiminia
Department of Chemistry, University of Birjand, P. O. Box: ۹۷۱۷۵-۶۱۵, Birjand, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :