تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe
Publish place: The 10th International Conference on Electrical Engineering, Electronics and Smart Networks
Publish Year: 1402
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 332
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
EESCONF10_067
Index date: 5 July 2023
تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe abstract
در این مقاله رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند (JLTFET) با ساختار نا همگون SiGeمورد تحلیل و بررسی قرار می گیرد. چگالی نویز جریان و چگالی نویز ولتاژ به ازای ساختار نا همگونسیلیسیم و ژرمانیوم به دلیل ویژگی منحصر به فرد آن در ساختار ناهمگون در ناحیه سورس و همچنینضخامت های مختلف اکسید زیر گیت (۲ و ۳ نانومتر) محاسبه میشود. افزایش هدایت انتقالی در ترانزیستورنشان دهنده افزایش تونل زنی می باشد لذا منجر به افزایش سرعت ترانزیستور می گردد.نویز غالب در ترانزیستورها در فرکانس پایین، نویز فلیکر (۱ / f) نامیده می شود و در ترانزیستور اثر میدانتونلی رفتار نویز فلیکر براساس تئوری تعداد نوسانات است. برای مطالعه نویز فرکانس پایین JLTFET ازمدل استاندارد تعداد نوسانات حامل استفاده شده است. لذا با استفاده از فرمول چگالی نویز ولتاژ و چگالینویز جریان که در رابطه با حامل های بار می باشند، نویز ترانزیستور بررسی گردیده است. به عبارت دیگر،استفاده از ماده سیلیسیم ژرمانیوم در ترانزیستورها نوین باعث بهبود عملکرد آنها در مقایسه با ترانزیستورهای سنتی میشود. این بهبود عملکرد شامل افزایش تعداد حامل های بار و کاهش نویز ولتاژ و جریان استکه در نتیجه باعث افزایش سرعت و کارایی ترانزیستور می شود.
تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe Keywords:
ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند , چگالی نویز
تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe authors
حدیثه حسینی منش
فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران