بهینه سازی فرآیند تولید پلاسما در افزاره های نیمه هادی سیلیسیمی
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 796
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_245
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
ساخت پالس های الکتریکی توان بالا با زمان صعود زیر نانوثانیه، با بکارگیری سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در افزاره 4 لایه نیمه هادی، امکان پذیر می شود. سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در ساختارهای نیمه هادی، سریعترین روش غیر نوری تولید پالس های سریع نانوثانیه ای و توان بالا ، محسوب می شود. در این مقاله، فرایند تولید پلاسمای الکترون و حفره و سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در ساختار 4 لایه نیمه هادی با بستر سیلیسیمی، به کمک تحلیل های عددی، بررسی می شود . در ادامه، عوامل تاثیرگذار مانند غلظت ناخالصی تزریق شده در بستر و ضخامت لایه بستر در سرعت کلیدزنی و میزان جریان تولیدی در این افزاره، مورد بحث قرار می گیرد و راهکاری در جهت بهینه سازی کلید نیمه هادی 4 لایه ارائه می گردد
Keywords:
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشگاه تهران، تهران، ایران
تارا افرا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :