شناسایی نانو بلورکCuOبه عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 745
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_102
Index date: 30 April 2013
شناسایی نانو بلورکCuOبه عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک abstract
چنانچه بخواهیم از ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا در مقیاس کمتر از 011 نانو متر استفاده کنیم نیاز به گیتی با ثابت دی الکتریک بالا داریم در این مقاله با روش پراش پرتو ایکسXRD(پرتو مادون قرمز تبدیلات فوریهFTIR( ومیکروسکوپ نیروی اتمیAFM به شناسایی ویژگی های نانو بلورکCuO به عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک پرداختیم. نتایج نشان می دهد اکسید مس به دلیل بالا بودن ثابت دی الکتریک، دارا بودن پایداری شیمیایی، خاصیت آموروف کنندگی بالا، باعث تولید فونون های اپتیکی و افزایش تحرک می شود
شناسایی نانو بلورکCuOبه عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک Keywords:
شناسایی نانو بلورکCuOبه عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک authors
علی بهاری
دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک
اعظم رضائیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
توفیق اوسطی
دانشگاه رازی- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :