حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 909
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_107
Index date: 30 April 2013
حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری abstract
در این مقاله معادله بولتزمن درGaAs را با استفاده از مدل رانش- نفوذ به صورت عددی حل میکنیم. ابتدا روابط حاکم در افزاره را با کمک روش تفاضل محدود گسسته می- کنیم. سپس به ازای تابش و جذب نور در افزاره و با کمک روش نیوتن- رافسون توزیعحاملهای الکتریکی و پتانسیل الکتریکی را محاسبه میکنیم. این توزیعها پایه و اساس کارکرد افزارههای نیمههادی هستند و برای محاسبه پارامترهای مختلف مانند جریان الکتریکی بکار میروند
حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری Keywords:
حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری authors
فریده اکرمی مقدم
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش
استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :