لایه نشانی و بررسی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه نازک ZnO:Ga
Publish place: 1st National Conference on Physics and its Applications
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 890
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCPHYAPP01_040
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1392
Abstract:
در این تحقیق ساخت لایه های نازک اکسید روی آلاییده با گالیم (ZnO:Ga) به روش سل ژل گزارش می شود. گالیم با درصدهای مختلف (0-2%) وارد ساختار لایه نازک ZnO د. نتایج حاصل از بررسی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی لایه های نازک حاکی از این بود که نمونه های 2% بهترین میزان عبور و کمترین میزان مقاومت الکتریکی ویژه را دارا بوده است. تأثیر دمای بازپخت بر روی خواص الکتریکی نیز مورد کاوش قرار گرفت.
Keywords:
Authors
سعید سالاری
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
کاووس میر عباس زاده
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
مهدی احمدی
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :