تاثیر سرعت چرخش بر طیف جذبی و محاسبه گاف انرژی لایه نازک CeO2 آلاییده با SiO2
Publish place: 1st National Conference on Physics and its Applications
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 801
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCPHYAPP01_066
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1392
Abstract:
ویژگی های اپتیکی مواد اکسیدی که اساسشان سریوم و سیلسیوم است توجه افراد زیادی را به خود جلب کرده است. از این رو هدف ما بررسی خواص اپتیکی لایهنازک CeO2 آلاییده با SiO2 می باشد. در این پژوهش برای تهیه این لایه ها ما با تکنیک مایسل معکوس سل مورد نظر را تهیه میکنیم که بعد از تولید سل برای لایهنشانی از دستگاه اسپین کوتینگ در سرعت های چرخش مختلف 5000 و 4000 و 3000 استفاده میکنیم، در نهایت لایه ها را در دمای 400 درجه کلسینه کرده و با استفاده از نتایج حاصل از طیف سنج فرابنفش -مرئی (UV-Vis) گاف انرژی و نمودارهای جذب را رسم کردیم.
Keywords:
Authors
مریم منطقی
گروه فیزیک حالت جامد، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر،
حسین میلانی مقدم
گروه فیزیک حالت جامد، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :