بهبود بازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط ایجاد میدان سطحی در اتصال پشتی
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,378
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICREDG03_095
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1392
Abstract:
در سلولهای CIGS به دلیل ضخامت کم لایه جاذب فاصله اتصال پشتی و ناحیه تخلیه ناچیز است، بنابراین نور بیشتری به اتصال پشتی میرسد و بازترکیب این ناحیه مکانیسم تلفات اصلی در سلول است. در این مقاله یک راه -کار جدید برای بهبود بازده سلول خورشیدی CIGS ارائه شده است. اساس این روش افزایش ناخالصی بخشی از لایه جاذب است، که اثر آن به ازای ضخامتهای متفاوت جاذب در اینجا بحث شده است.
Keywords:
اثر لایه + p بر عملکرد سلول CIGS , سلول فیلم نازک CIGS , کاهش بازترکیب اتصال پشتی
Authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران ، اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :