شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
Publish place: 2nd International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE)
Publish Year: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 20
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE02_018
تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1403
Abstract:
در این مقاله ابتدا دلایل استفاده از تکنولوژی سیلیکون روی الماس SOD به عنوان جایگزینی مناسب برای تکنولوژی سیلیکون - روی عایق SOI را بیان می کنیم و سپس اهمیت استفاده از فناوری سیلیکون - روی الماس دو لایه را به عنوان یک ساختار بهبود یافته بررسی می کنیم. اهمیت مقاومت سورس - درین Rsd در ترازیستورهای ماسفت زمانی بیشتر می شود که این تکنولوژی به سمت کوچکتر شدن در اندازه و ابعاد پیش می رود و این امر از آنجایی است که مقاومت سورس - درین RSD نسبت مستقیمی با طول کانال کاهش یافته DL دارد و طول کانال کاهش یافته DL نیز از شرایط ساخت از جمله لیتوگرافی گیت، شرایط حکاکی و دیفیوژن لبه ای سورس و درین تاثیر مستقیم می پذیرد. در این مقاله برای بررسی مقاومت سورس - درین RSD از نرم افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی که یکی از ابزارهای قدرتمند برای طراحی و شبیه سازی ادوات نیمه هادی در واحد میکرون است استفاده کرده ایم و مدل های و حالت های مختلفی را شبیه سازی کرده ایم که نتایج شبیه سازی ساختار مقاومت سورس - درین RSD را متضمن می شود.
Keywords:
Authors
عرفان محمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان ایران
آرش دقیقی
دانشیار الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران
وحید حاتمی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرد کرد ایران