سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه

Publish Year: 1403
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 45

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICNRTEE02_018

Index date: 25 September 2024

شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه abstract

در این مقاله ابتدا دلایل استفاده از تکنولوژی سیلیکون روی الماس SOD به عنوان جایگزینی مناسب برای تکنولوژی سیلیکون - روی عایق SOI را بیان می کنیم و سپس اهمیت استفاده از فناوری سیلیکون - روی الماس دو لایه را به عنوان یک ساختار بهبود یافته بررسی می کنیم. اهمیت مقاومت سورس - درین Rsd در ترازیستورهای ماسفت زمانی بیشتر می شود که این تکنولوژی به سمت کوچکتر شدن در اندازه و ابعاد پیش می رود و این امر از آنجایی است که مقاومت سورس - درین RSD نسبت مستقیمی با طول کانال کاهش یافته DL دارد و طول کانال کاهش یافته DL نیز از شرایط ساخت از جمله لیتوگرافی گیت، شرایط حکاکی و دیفیوژن لبه ای سورس و درین تاثیر مستقیم می پذیرد. در این مقاله برای بررسی مقاومت سورس - درین RSD از نرم افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی که یکی از ابزارهای قدرتمند برای طراحی و شبیه سازی ادوات نیمه هادی در واحد میکرون است استفاده کرده ایم و مدل های و حالت های مختلفی را شبیه سازی کرده ایم که نتایج شبیه سازی ساختار مقاومت سورس - درین RSD را متضمن می شود.

شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه Keywords:

سیلیکون روی عایق , سیلیکون روی الماس دو لایه , مقاومت سورس - درین , کاشت یونی

شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه authors

عرفان محمدی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان ایران

آرش دقیقی

دانشیار الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران

وحید حاتمی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرد کرد ایران

مقاله فارسی "شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه" توسط عرفان محمدی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان ایران؛ آرش دقیقی، دانشیار الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران؛ وحید حاتمی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرد کرد ایران نوشته شده و در سال 1403 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سیلیکون روی عایق، سیلیکون روی الماس دو لایه، مقاومت سورس - درین، کاشت یونی هستند. این مقاله در تاریخ 4 مهر 1403 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 45 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله ابتدا دلایل استفاده از تکنولوژی سیلیکون روی الماس SOD به عنوان جایگزینی مناسب برای تکنولوژی سیلیکون - روی عایق SOI را بیان می کنیم و سپس اهمیت استفاده از فناوری سیلیکون - روی الماس دو لایه را به عنوان یک ساختار بهبود یافته بررسی می کنیم. اهمیت مقاومت سورس - درین Rsd در ترازیستورهای ماسفت زمانی بیشتر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.