گیت NAND تمام نوری با استفاده از بلورهای فوتونی بر روی زیر لایه InP
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 618
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_010
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
Abstract:
دراین مقاله یک گیت NAND تمام نوری با استفاده ازساختارمشدد حلقوی غیرخطی درشبکه مربعی میله ای بلورهای فوتونی برروی زیرلایه InP طراحی شده است گیت NAND طراحی شده برای رسیدن به صفرویک منطقی برمبنای شیفت فرکانسی ناشی ازاثرغیرخطی کر می باشد دراین طراحی ازدومشدد حلقوی برای سوئیچینگ درحالتهای مختلف منطقی استفاده شده که با استفاده ازآنها میت وانیم جدول صحت این گیت را پیاده سازی کنیم درابتدا با روش بسط امواج صفحه ای PWM مقادیرثابت شبکه و شعاع بهینه به ترتیب برابر با nm 600nm114 دست امده است سپس با استفاده ازروش تفاضل متناهی درزمانFDTD گیت NAND طراحی و عملکرد آن طراحی شده است
Keywords:
Authors
محمود نیکو فرد
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه کاشان
مهدی الهام نیا
دانشکده مهندسی گروه الکترونیک
محمدرضا فلاح
گروه الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :