بررسی عوامل موثر بر ولتاژ تحریک یک سوئیچ خازنی با استفاده از تکنولوژی MEMS
Publish place: The First National Conference on Innovations in Thin Film Processing and Their Characterization
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,033
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
THINFILM01_029
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
Abstract:
در این مقاله، اثرات پارامترهای مختلف یک سوئیچ خازنی میکروالکترومکانیکی (MEMS) فرکانس بالا (RF) با غشای متحرک مسی بر ولتاژ تحریک آن مورد بررسی قرار کرفته است. پارامترهای این سوئیچ شامل ثابت های مواد (مانند ضریب کشسانی، ضریب پوآسون و غیره)،ابعاد هندسی،فاصله هوایی میان صفحه متحرک و صفحه ثابت می باشد. همچنین صحت تئوری با مقایسه مقادیر شبیه سازی و تئوری بررسی شده است. این بررسی می تواند به طراحان سوئیچ جهت بدست آوردن ساختاری بهینه کمک کند.
Keywords:
ولتاژ تحریک - سوئیچ خازنی - ضریب کشسانی - فاصله هوایی - ابعاد هندسی
Authors
هدیه محمود نیا
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران
بهرام عزیزالله گنجی
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران
عالیه رازقی
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :