ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با گیت دی الکتریک نانو کامپوزیت هیبریدی اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن
Publish place: 1st Technical Conference on Sciences , Technology & Systems of Electrical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 834
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STSEE01_009
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
Abstract:
در کار حاضر اکسید نیکل به روش سل ژل سنتز شده، و پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2و 21 به اکسید نیکل اضافه شده است. ویژگی نانوکامپوزیت های بهدست آمده با استفاده از تکنیکهای میکروسکوپ الکترونی روبشی) SEM ) و پراش پرتو ایکس) XRD ( و نرم افزار X-Powder مورد ارزیابی قرار گرفته شد. نتایج نشان داده است نانو کامپوزیت اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2:2 به دلیل دارا بودن مورفولوژی سطح خوب و استحکام مکانیکی بالا با توجه به رابطهی هال پچ نمونهی بهتری برای جایگزینی در گیت دی الکتریک ترانزیستور است
Keywords:
Authors
مریم درخشی
دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک
محدثه جمالی
دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک،
علی بهاری
دانشگاه مازندران،علوم پایه، عضو هیئت علمی گروه فیزیک،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :